SI4834CDY-T1-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI4834CDY-T1-E3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8A, 10V |
Leistung - max | 2.9W |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SI4834 |
SI4834CDY-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI4834CDY-T1-E3 PDF - EN.pdf |
SI4834CDY VISHAY
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
VISHAY SOP-8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI4834CDY-T1-E3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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